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SI7309DN-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay Siliconix
- 出厂封装：
- PowerPAK® 1212-8
- 功能类别：
- 晶体管 - FET，MOSFET - 单
- 功能描述：
- MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK
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功能介绍
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：
- 4.5V，10V
- FET 功能：
- -
- FET 类型：
- P 沟道
- Vgs (Max)：
- ±20V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
- 3V @ 250µA
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：
- 600pF @ 30V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：
- 22nC @ 10V
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
- 115 毫欧 @ 3.9A，10V
- 功率耗散（最大值）：
- 3.2W（Ta），19.8W（Tc）
- 包装：
- 带卷（TR）
- 安装类型：
- 表面贴装
- 封装/外壳：
- PowerPAK® 1212-8
- 工作温度：
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 技术：
- MOSFET（Metal Oxide）
- 漏源极电压（Vdss）：
- 60V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
- 8A（Tc）